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龙图腾网获悉瑞芯微电子股份有限公司申请的专利先进先出存储器、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118312125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310027697.0，技术领域涉及：G06F5/06；该发明授权先进先出存储器、芯片及电子设备是由孙剑忠;郑天翼设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本先进先出存储器、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供先进先出存储器、芯片及电子设备。所述先进先出存储器的输出位宽大于其输入位宽，所述先进先出存储器包括：数据拼接模块，被配置为接收至少两行输入数据，并对所述至少两行输入数据分别进行位拼接以获取至少两行中间数据；以及单端口随机存取存储器，包括至少两个先进先出存储区，所述至少两个先进先出存储区被配置为分别存储写入的所述至少两行中间数据，并响应于各自存储的对应一行中间数据满足读取条件而分别输出所述对应一行中间数据作为读取的输出数据。所述先进先出存储器能够减少面积开销。

本发明授权先进先出存储器、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种先进先出存储器，其特征在于，所述先进先出存储器的输出位宽大于其输入位宽，所述先进先出存储器包括： 数据拼接模块，被配置为接收至少两行输入数据，并对所述至少两行输入数据分别进行位拼接以获取至少两行中间数据；以及单端口随机存取存储器，包括至少两个先进先出存储区，所述至少两个先进先出存储区被配置为分别存储写入的所述至少两行中间数据，并响应于各自存储的对应一行中间数据满足读取条件而分别输出所述对应一行中间数据作为读取的输出数据，其中所述数据拼接模块被配置为接收多个第一位宽的第一行输入数据和多个第一位宽的第二行输入数据，并对所述第一行输入数据进行位拼接以获取第二位宽的第一行中间数据，对所述第二行输入数据进行位拼接以获取第二位宽的第二行中间数据，所述第二位宽为所述第一位宽的整数倍，其中所述单端口随机存取存储器包括第一先进先出存储区和第二先进先出存储区，所述第一先进先出存储区被配置为存储分多次写入的多个第一行中间数据，并响应于所存储的所述多个第一行中间数据达到设定数目而输出所述多个第一行中间数据作为所述输出数据，所述第二先进先出存储区被配置为存储分多次写入的多个第二行中间数据，并响应于所存储的所述多个第二行中间数据达到所述设定数目而输出所述多个第二行中间数据作为所述输出数据。

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