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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十研究所;中航技进出口有限责任公司申请的专利一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118646434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410798365.7，技术领域涉及：H04B1/40；该发明授权一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关是由张然;隋芳媛设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关，所述紧凑型射频收发切换开关包括：电压源V1和射频收发切换开关电路；所述射频收发切换开关电路包括：天线端口pin1、发射通路端口pin2、接收通路端口pin3，天线端口pin1与发射通路端口pin2之间设有第一n阶集总电感‑电容等效网路，发射通路端口pin2处设有一个由NMOS管NM1构成的开关并联到GND；天线端口pin1与接收通路端口pin3之间设有第二n阶集总电感‑电容等效网路，接收通路端口pin3处设有一个由PMOS管PM1构成的开关并联到GND；且射频收发切换开关电路的地电平为GND，供电电压为电源端VDD。本发明减小了开关的芯片面积、减小了射频信号通过收发切换开关时引入的插入损耗、提升了发射模式下开关的线性度性能。

本发明授权一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关，其特征在于，所述紧凑型射频收发切换开关包括：电压源V1和射频收发切换开关电路； 电压源V1负极与地端GND相连，电压源V1正极与电源端VDD相连； 所述射频收发切换开关电路包括：天线端口pin1、发射通路端口pin2、接收通路端口pin3； 天线端口pin1 与发射通路端口pin2之间设有第一n阶集总电感‑电容等效网路，发射通路端口pin2处设有一个由NMOS管NM1构成的开关通过电容C1并联到GND，其中，NMOS管NM1的漏极与发射通路端口pin2相连，NMOS管NM1的源极通过电容C1与地相连，NMOS管NM1的栅极由节点A的电平控制； 天线端口pin1与接收通路端口pin3之间设有第二n阶集总电感‑电容等效网路，接收通路端口pin3处设有一个由PMOS管PM1构成的开关通过电容C1并联到GND，PMOS管PM1的漏极与接收通路端口pin3相连，PMOS管PM1的漏极通过电容C1与地相连，PMOS管PM1的栅极由节点B的电平控制； 且射频收发切换开关电路的地电平为GND，供电电压为电源端VDD； 所述天线端口pin1与电感L2的中心抽头端及电容Cp2一端相连，电感L2的电感值为2L0； 所述电容Cp2一端与GND相连，另一端与电感L2中心抽头端和天线端口pin1相连，电容Cp2的电容值为由天线端口pin1的端口焊盘到GND的寄生电容，为单位电容值C0； 所述第一n阶集总电感‑电容等效网路包括电容Cp1、电容C2、电容C3和电感L1，以及与第二n阶集总电感‑电容等效网路共用的电容Cp2和电感L2； 其中，电容C3一端与GND相连，另一端与电感L2和电感L1相连； 所述电容C2一端与GND相连，另一端与电感L1的中心抽头端相连； 所述电容Cp1一端与GND相连，另一端与NMOS管NM1的漏极和发射通路端口pin2相连； 所述第二n阶集总电感‑电容等效网路包括电容Cp3、电容C4、电容C5和电感L3； 其中，电容C4一端与GND相连，另一端与电感L2和电感L3相连； 所述电容C5一端与GND相连，另一端与电感L3的中心抽头端相连； 所述电容Cp3一端与GND相连，另一端与PMOS管PM1的源极和接收通路端口pin3相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十研究所;中航技进出口有限责任公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市金牛区茶店子东街48号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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