长鑫存储技术有限公司张瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种写入电路、写入方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310287337.4，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种写入电路、写入方法和存储器是由张瑞设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种写入电路、写入方法和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种写入电路、写入方法和存储器，在该写入电路中，信号转换电路用于接收使能信号、测试模式信号和初始复位信号，根据使能信号、初始复位信号和测试模式信号进行信号转换处理，得到第一置位信号和第一复位信号；数据产生电路包括多个移位寄存器，多个移位寄存器用于接收第一置位信号和第一复位信号，根据多个移位寄存器对初始写数据进行串转并处理，生成目标写数据。其中，初始写数据处于串行状态，目标写数据处于并行状态，且目标写数据为存储器内建自测试MBIST需求的写入数据，从而可以节省芯片面积，同时能够保证压缩写入的时序要求。
本发明授权一种写入电路、写入方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种写入电路，其特征在于，所述写入电路包括信号转换电路和数据产生电路，所述信号转换电路与所述数据产生电路连接，其中： 所述信号转换电路，用于接收使能信号、测试模式信号和初始复位信号，根据所述使能信号、所述初始复位信号和所述测试模式信号进行信号转换处理，得到第一置位信号和第一复位信号； 所述数据产生电路包括多个移位寄存器，所述多个移位寄存器用于接收所述第一置位信号和所述第一复位信号，根据所述多个移位寄存器对初始写数据进行串转并处理，生成目标写数据； 其中，所述初始写数据处于串行状态，所述目标写数据处于并行状态，且所述目标写数据为存储器内建自测试MBIST需求的写入数据。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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