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龙图腾网获悉西安工程大学申请的专利具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410808064.8，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法是由曹得重;郭正全;高望欣;王赫;骆恬恬;王菲斐;第五淯暄;马丽;王森设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaNu‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaNu‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；采用退火技术，将上述氧化镓薄膜转变为不同Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜。本发明制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高、Eu浓度可调的单晶β‑氧化镓薄膜。

本发明授权具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施： 步骤1、采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层以及n‑GaNu‑GaN周期性结构，在溶液中对n‑GaNu‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备纳米多孔GaN分布布拉格反射镜； 步骤2、以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为新的衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜； 步骤3、设置退火工艺参数，将具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜转变为Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜； 步骤1中所述n‑GaNu‑GaN周期性结构包括未掺杂GaN层即u‑GaN和掺杂GaN层即n‑GaN，所述u‑GaN层厚度为30‑70nm，所述n‑GaN层厚度为75‑125nm，掺杂浓度为3.2×1018‑3.8×1019cm‑3，周期数为7‑18； 步骤2具体过程为：以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为新的衬底，采用248nm的KrF准分子激光器，频率范围设置为1‑5Hz，能量范围设置为200‑600 mJ，生长温度设置为450‑850℃，生长时间设置为30min‑400min，靶材中Eu的体积比含量为0‑6%，得到生长厚度为60‑400nm的薄膜，即为具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜； 步骤3中所述设置退火工艺参数为：退火温度为850‑1100℃，退火时间为10‑120min，退火气氛为空气、氮气以及氮气和氧气的混合气体的任意一种； 步骤1中所述溶液为浓度在0.25‑0.45mol·L范围内的草酸、硫酸、硝酸的水溶液中的任意一种。

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