长鑫存储技术有限公司刘晓阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310304310.1，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权存储结构是由刘晓阳设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储结构，包括多个读晶体管单元，所述读晶体管单元包括按照第一排列方式排布的多个读晶体管，所述读晶体管包括沿第一方向延伸的导电柱；多个写晶体管单元，所述写晶体管单元包括按照第二排列方式排布的多个写晶体管，所述写晶体管包括半导体柱，所述半导体柱与所述导电柱具有相同的延伸方向；同一所述读晶体管单元内的各所述导电柱以不完全相同的方式与所述半导体柱连接，且同一所述写晶体管单元内的各所述半导体柱以不完全相同的方式与所述导电柱连接。本申请可以有效提高存储单元密度。
本发明授权存储结构在权利要求书中公布了：1.一种存储结构，其特征在于，包括： 多个读晶体管单元，所述读晶体管单元包括按照第一排列方式排布的多个读晶体管，所述读晶体管包括沿第一方向延伸的导电柱； 多个写晶体管单元，所述写晶体管单元包括按照第二排列方式排布的多个写晶体管，所述写晶体管包括半导体柱，所述半导体柱与所述导电柱具有相同的延伸方向； 同一所述读晶体管单元内的各所述导电柱以不完全相同的方式与所述半导体柱连接，且同一所述写晶体管单元内的各所述半导体柱以不完全相同的方式与所述导电柱连接；在所述第一排列方式与所述第二排列方式中，以其中一者作为目标排列方式，所述存储结构还包括： 多个转接单元，所述转接单元在所述第一方向上位于所述读晶体管单元与所述写晶体管单元之间，且所述转接单元包括按照目标排列方式排布的多个转接结构，所述转接结构连接所述导电柱与所述半导体柱，在读晶体管与写晶体管中，将按照目标排列方式排列的一者作为目标晶体管，另一者作为非目标晶体管，在同一转接单元中，各个转接结构通过不完全相同的方式连接所述非目标晶体管，且通过相同的方式连接所述目标晶体管。
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