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龙图腾网获悉南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种高可靠性红外发光LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411152669.2，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种高可靠性红外发光LED芯片及其制作方法是由陈宝;戴文;李俊承;熊露;熊珊设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性红外发光LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种高可靠性红外发光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、电流扩展反射结构、功能层和环状接触电极，所述环状接触电极的环内设置出光孔，所述电流扩展反射结构包括银纳米线电流扩展层、介质膜层和镜面层；所述介质膜层上表面具有第一凹槽，所述银纳米线电流扩展层嵌入式设置于所述第一凹槽中；所述介质膜层中心具有一贯穿所述第一凹槽和所述第二凹槽的导电通孔。本申请提供的上述芯片，在提升芯片发光强度的同时提升可靠性能。

本发明授权一种高可靠性红外发光LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性红外发光LED芯片，其特征在于，所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、电流扩展反射结构、AlGaAs发光层、AlGaAs粗化层、N型GaAs欧姆接触层和环状接触电极，所述环状接触电极的环内设置出光孔； 所述电流扩展反射结构包括银纳米线电流扩展层、介质膜层和镜面层； 所述介质膜层上表面具有第一凹槽，所述银纳米线电流扩展层嵌入式设置于所述第一凹槽中；所述介质膜层下表面具有第二凹槽，所述镜面层嵌入式设置于所述第二凹槽中； 所述介质膜层中心具有一贯穿所述第一凹槽和所述第二凹槽的导电通孔，所述导电通孔位于所述出光孔正下方，所述镜面层靠近所述介质膜层一侧的表面具有一凸台，所述凸台完全嵌入至所述导电通孔中，且所述凸台的上表面与所述银纳米线电流扩展层的下表面相接触； 所述第一凹槽开口向上，所述第一凹槽包括第一底面和四周的第一保护壁，所述第一保护壁的上端面与所述银纳米线电流扩展层上表面齐平；所述第一底面与所述银纳米线电流扩展层下表面相接触； 所述第二凹槽开口向下，所述第二凹槽包括第二底面和四周的第二保护壁，所述第二保护壁的下端面与所述镜面层的下表面齐平；所述第二底面与所述镜面层的上表面相接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌凯捷半导体科技有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。