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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构以及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310319291.X，技术领域涉及：G11C11/408；该发明授权半导体结构以及存储器是由王超设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构以及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构以及存储器，半导体结构包括：存储阵列，存储阵列沿第一方向上具有相对的第一侧和第二侧；行解码器，位于第一侧和或第二侧，被配置为接收行地址信号，并产生控制信号以驱动控制信号对应的字线驱动器；存储阵列包括沿第一方向间隔排布的N个存储子块以及N+1个字线驱动器，每一存储子块沿第一方向的两侧各自具有一个字线驱动器，N为正整数；其中，位于相邻两个存储子块之间的字线驱动器被配置为，驱动相邻两个存储子块中一者的部分字线或相邻两个存储子块中另一者的部分字线。本公开实施例至少有利于降低字线驱动器的数量，从而有利于降低半导体结构的整体尺寸。

本发明授权半导体结构以及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 存储阵列，所述存储阵列沿第一方向上具有相对的第一侧和第二侧； 行解码器，位于所述第一侧和或所述第二侧，被配置为接收行地址信号，并产生控制信号以驱动所述控制信号对应的字线驱动器； 所述存储阵列包括沿所述第一方向间隔排布的N个存储子块以及N+1个所述字线驱动器，每一所述存储子块沿所述第一方向的两侧各自具有一个所述字线驱动器，所述N为正整数； 其中，位于相邻两个所述存储子块之间的所述字线驱动器被配置为，驱动相邻两个所述存储子块中一者的部分字线或相邻两个所述存储子块中另一者的部分字线； 还包括：沿第二方向间隔排布的多个所述存储阵列，所述第一方向和所述第二方向相交，多个所述存储阵列共用所述行解码器； 沿所述第二方向相邻的两个所述存储阵列为存储阵列组，所述存储阵列组包括： 沿所述第一方向延伸的第一传输线，被配置为，接收所述控制信号，并依据所述控制信号驱动位于所述存储阵列组中的至少部分所述字线驱动器； 沿所述第一方向延伸的第二传输线，被配置为，接收所述控制信号，并依据所述控制信号驱动位于所述存储阵列组中剩余的所述字线驱动器； 沿所述第二方向延伸的第三传输线，被配置为，通过所述第三传输线电连接所述第一传输线与所述字线驱动器，或者通过所述第三传输线电连接所述第二传输线与所述字线驱动器，所述第一传输线和所述第二传输线在所述第一方向均不贯穿所对应的所述存储阵列。

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