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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410917550.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法是由袁俊;成志杰;郭飞;王宽;陈伟;吴阳阳设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法，可用于半导体领域，该终端结构包括：嵌于三明治外延结构的主结、场限环结构和截止区；主结与有源区接触，场限环结构在主结与截止区之间；主结包括第一辅助沟槽、贯穿第二N型外延层和P型埋层并嵌于第一N型外延层的第一P型离子掺杂区和位于第一辅助沟槽内部槽角位置的第一多晶硅；场限环结构包括多个第二辅助沟槽、多个贯穿第二N型外延层的第二P型离子掺杂区和位于多个第二辅助沟槽内部槽角位置的第二多晶硅；截止区包括第三辅助沟槽、位于P型埋层中的N型截止区和位于第三辅助沟槽内部槽角位置的第三多晶硅。由此，为具有三明治外延结构的宽禁带半导体器件提供了高可靠性终端结构。

本发明授权一种宽禁带半导体器件终端结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体器件终端结构，其特征在于，匹配于基于三明治外延结构的有源区，所述终端结构包括：嵌于三明治外延结构的主结、场限环结构以及截止区； 所述三明治外延结构包括沿第一方向依次堆叠的第一N型外延层、P型埋层以及第二N型外延层；其中，所述第一N型外延层位于靠近衬底的一侧，所述第二N型外延层位于背离衬底的一侧； 所述有源区、所述主结、所述场限环结构以及所述截止区沿第二方向依次排列；所述主结与所述有源区接触，所述场限环结构位于所述主结与所述截止区之间；所述第二方向与所述第一方向相互垂直； 所述主结包括第一辅助沟槽、贯穿所述第二N型外延层和所述P型埋层并嵌于所述第一N型外延层的第一P型离子掺杂区以及位于所述第一辅助沟槽内部槽角位置的第一多晶硅； 所述第一P型离子掺杂区包裹所述第一辅助沟槽； 所述场限环结构包括多个第二辅助沟槽、多个贯穿所述第二N型外延层的第二P型离子掺杂区以及位于多个所述第二辅助沟槽内部槽角位置的第二多晶硅；多个所述第二P型离子掺杂区沿第二方向间隔排列；所述第二P型离子掺杂区包裹所述第二辅助沟槽； 所述截止区包括第三辅助沟槽、位于所述P型埋层中与所述第三辅助沟槽对应位置的N型截止区以及位于所述第三辅助沟槽内部槽角位置的第三多晶硅。

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