长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310351043.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由刘志拯设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成多个位线结构，位线结构包括位线叠层结构和位于位线叠层结构侧壁的隔离侧墙，隔离侧墙内具有第一空气间隙；于相邻位线结构之间形成存储节点接触结构材料层；刻蚀存储节点接触结构材料层，以得到存储节点接触结构及第一间隙槽，第一间隙槽位于位线结构与存储节点接触结构之间；于第一间隙槽内形成第一隔离层，第一隔离层内具有第二空气间隙。由于第一空气间隙以及第二空气间隙的存在，从而能够降低存储节点接触结构与位线结构之间的电容，从而能够降低位线结构整体的电容，从而能够提高芯片的感测裕度。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底的上表面形成多个位线结构，所述位线结构包括位线叠层结构和位于所述位线叠层结构侧壁的隔离侧墙，所述隔离侧墙内具有第一空气间隙； 于相邻所述位线结构之间形成存储节点接触结构材料层； 刻蚀所述存储节点接触结构材料层，以得到存储节点接触结构及第一间隙槽，所述第一间隙槽位于所述位线结构与所述存储节点接触结构之间； 于所述第一间隙槽内形成第一隔离层，所述第一隔离层内具有第二空气间隙。
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