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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310371408.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制备方法是由孙雨萌设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底，具有第一区域、设置在第一区域外侧的第二区域、及设置在第二区域外侧的第三区域，在垂直衬底表面的方向上，第一区域的表面高于第二区域的表面，且第二区域的表面高于第三区域的表面；栅极结构，设置在第一区域的衬底表面；栅极侧墙隔离层，覆盖栅极结构侧壁，且至少覆盖第二区域的衬底表面；源区及漏区，至少位于第三区域的衬底内。在垂直衬底表面的方向上，衬底具有表面高度依次降低的第一区域、第二区域及第三区域，使得衬底中电流最集中点所在位置与衬底中电场强度最大的点所在的位置分离，减少热载流子数量，从而降低了热载流子注入效应的风险。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一区域、设置在所述第一区域外侧的第二区域、及设置在所述第二区域外侧的第三区域，在垂直所述衬底表面的方向上，所述第一区域的表面高于所述第二区域的表面，且所述第二区域的表面高于所述第三区域的表面； 栅极结构，设置在所述第一区域的所述衬底表面； 栅极侧墙隔离层，覆盖所述栅极结构侧壁，且至少覆盖所述第二区域的所述衬底表面； 源区及漏区，至少位于所述第三区域的所述衬底内； 轻掺杂漏区，至少位于所述第二区域的所述衬底内； 其中，所述栅极结构包括栅介质层、栅极导电层及栅极覆盖层，所述栅介质层覆盖所述第一区域的所述衬底表面，所述栅极导电层覆盖所述栅介质层的部分表面，所述栅极覆盖层覆盖所述栅极导电层的表面，所述栅极侧墙隔离层包括： 第一侧墙隔离层，所述第一侧墙隔离层覆盖所述栅极覆盖层的侧壁、所述栅极导电层的侧壁及所述栅介质层未被所述栅极导电层覆盖的表面； 第二侧墙隔离层，覆盖所述第一侧墙隔离层的侧壁、所述栅介质层的侧壁、所述第一区域的所述衬底的侧壁及所述第二区域的所述衬底的表面； 第三侧墙隔离层，至少覆盖所述第二侧墙隔离层的侧壁及所述第二区域的所述衬底的侧壁； 其中，所述轻掺杂漏区包括位于所述第一侧墙隔离层下方的第一表面、位于所述第二侧墙隔离层下方的第二表面以及位于所述第三侧墙隔离层下方的第三表面，所述第一表面高于所述第二表面，所述第二表面高于所述第三表面。

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