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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118829192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310390887.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及制备方法是由邵波;王春阳;王震设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，半导体结构包括：基底，基底内具有沿第一方向延伸的位线；半导体柱，半导体柱位于基底内，半导体柱与位线电连接；半导体柱包括沟道区以及位于沟道区两侧的两个掺杂区，两个掺杂区的其中一掺杂区与位线电连接；沟道区在两个掺杂区的每一掺杂区的正投影均位于每一掺杂区内；字线，字线沿第二方向延伸，字线位于基底内，字线环绕沟道区；存储结构，存储结构位于基底上，存储结构与两个掺杂区的另一掺杂区电连接；其中，第一方向与第二方向相交。公开的半导体结构至制备方法至少可以提高集成电路的存储密度。

本发明授权半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内具有沿第一方向延伸的位线； 形成半导体柱，所述半导体柱位于所述基底内，所述半导体柱与所述位线电连接；所述半导体柱包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的两个掺杂区，所述两个掺杂区的其中一掺杂区与所述位线电连接；所述沟道区在所述两个掺杂区的每一掺杂区的正投影均位于所述每一掺杂区内； 形成字线，所述字线沿第二方向延伸，所述字线位于所述基底内，所述字线环绕所述沟道区； 形成存储结构，所述存储结构位于所述基底上，所述存储结构与所述两个掺杂区的另一掺杂区电连接； 形成所述位线的工艺步骤包括： 提供衬底，在所述衬底表面形成第一导电层； 在所述第一导电层表面形成层叠的第一半导体膜、第一间隔膜、第二导电层以及第二间隔膜； 在所述第一间隔膜内、第二导电层内以及第二间隔膜内以及所述第二间隔膜表面形成第二半导体膜，所述第二半导体膜位于所述第一半导体膜上； 图形化所述第二半导体膜、第二导电层、第一半导体膜以及第一导电层，形成第二凹槽，剩余的所述第一导电层作为所述位线。

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