深圳市汇芯通信技术有限公司何溢勇获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利半导体结构制作方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410874549.7，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构制作方法和半导体结构是由何溢勇;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构制作方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构制作方法和半导体结构，其中所述半导体结构制作方法包括：一、提供基板层；二、在所述基板层上涂覆光刻胶层；三、去除部分所述光刻胶层，以形成胶柱，所述胶柱侧面具有凹陷结构；四、在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层，包括位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元；第一功能单元和所述第二功能单元在光刻胶层的侧面分离；五、去除所述胶柱和所述第二功能单元。由于所述胶柱侧边具备凹陷结构，所以当在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层时，位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元因为被凹陷结构阻挡，因此不容易发生粘连。
本发明授权半导体结构制作方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，所述半导体结构制作方法包括： 提供基板层； 在所述基板层上涂覆光刻胶层； 去除部分所述光刻胶层，以形成胶柱，所述胶柱侧面具有凹陷结构； 在所述基板层靠近所述胶柱的一侧上沉积功能层，包括位于基板层上的第一功能单元和位于所述胶柱上的第二功能单元；第一功能单元和所述第二功能单元在光刻胶层的侧面分离，所述第一功能单元外壁与所述凹陷结构内壁相贴合设置，以使所述第一功能单元和所述第二功能单元在所述凹陷结构处断裂；所述凹陷结构包括上部和下部，沿厚度方向，所述上部相较于所述下部远离所述基板层；所述第一功能单元和所述第二功能单元在所述上部断裂，且所述第一功能单元外壁与所述下部相贴合，并且，所述第一功能单元包括凸起结构，所述凸起结构和所述下部的结构相匹配； 去除所述胶柱和所述第二功能单元。
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