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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310425001.X，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝结构及其形成方法是由袁盼设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种反熔丝结构及其形成方法。所述反熔丝结构包括：衬底；反熔丝器件；晶体管器件，包括均位于所述衬底内的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第一掺杂区电连接所述反熔丝器件，所述第二掺杂区位于所述晶体管器件远离所述反熔丝器件一侧，所述第三掺杂区位于所述晶体管器件远离所述反熔丝器件一侧，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括第一掺杂离子，所述第三掺杂区至少包括所述第一掺杂离子和第二掺杂离子，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度。本公开能够减少反熔丝结构的漏电流，提高反熔丝结构的开启电流，从而改善了反熔丝结构的性能。

本发明授权反熔丝结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括： 衬底； 反熔丝器件，至少部分位于所述衬底上； 晶体管器件，至少部分位于所述衬底上，所述晶体管器件包括均位于所述衬底内的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第一掺杂区电连接所述反熔丝器件，所述第二掺杂区位于所述晶体管器件远离所述反熔丝器件一侧，所述第三掺杂区位于所述晶体管器件远离所述反熔丝器件一侧，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括第一掺杂离子，所述第三掺杂区至少包括所述第一掺杂离子和与所述第一掺杂离子导电类型不同的第二掺杂离子，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度； 其中，所述第三掺杂区包括： 第一区域，与所述第二掺杂区接触，所述第一区域包括所述第一掺杂离子； 第二区域，作为晕环区，位于所述第一区域下方且与所述第一区域接触，所述第二区域包括所述第二掺杂离子，且所述第一区域的掺杂离子浓度大于所述第二区域的掺杂离子浓度； 其中，在且仅在所述晶体管器件远离所述反熔丝器件的一侧设置所述第三掺杂区，在所述晶体管器件靠近所述反熔丝器件的一侧，既不设置所述第一区域，也不设置所述第二区域。

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