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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、图像传感器及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866914B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310433606.3，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体结构、图像传感器及半导体结构的制备方法是由邓杰芳设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、图像传感器及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构、图像传感器及半导体结构的制备方法。半导体结构包括：第一基板，包括光电转换元件、传输晶体管及第一导电焊垫，所述光电转换元件与所述传输晶体管的第一源漏极区电连接，所述第一导电焊垫与所述传输晶体管的第二源漏极区电连接；第二基板，包括读出电路及第二导电焊垫，所述读出电路与所述第二导电焊垫电连接；键合结构，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，并连接所述第一基板与所述第二基板，以使得所述第一导电焊垫与所述第二导电焊垫电连接。本公开实施例提供的半导体结构增大了光电转换元件的表面面积，提高了半导体结构的填充因子，增大了半导体结构的灵敏度。

本发明授权半导体结构、图像传感器及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一基板，包括光电转换元件、传输晶体管及第一导电焊垫，所述光电转换元件与所述传输晶体管的第一源漏极区电连接，所述第一导电焊垫与所述传输晶体管的第二源漏极区电连接； 第二基板，包括读出电路及第二导电焊垫，所述读出电路与所述第二导电焊垫电连接； 键合结构，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，并连接所述第一基板与所述第二基板，以使得所述第一导电焊垫与所述第二导电焊垫电连接； 其中，所述传输晶体管为垂直沟道晶体管，所述垂直沟道晶体管包括： 半导体柱，包括沿垂直于所述第一基板的主表面的第一方向依次排布的所述第一源漏极区、沟道区及所述第二源漏极区； 栅极结构，设置在所述半导体柱的所述沟道区的外侧壁； 其中，所述第一基板包括至少一个光电转换元件组，所述光电转换元件组包括多个光电转换元件和与所述多个光电转换元件一一对应的多个传输晶体管，所述多个传输晶体管的第二源漏极区与仅一个所述第一导电焊垫电连接。

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