长鑫科技集团股份有限公司崔兆培获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利成像系统、图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410868816.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权成像系统、图像传感器及其制备方法是由崔兆培;宋影;严彤设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像系统、图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种成像系统、图像传感器及其制备方法，包括：基底，包括多个像素单元和分离多个像素单元的隔离结构；多个滤色器，位于基底上，并与多个像素单元分别对应；栅格结构，栅格结构位于所述滤色器之间，并且分别沿第一方向和第二方向延伸，栅格结构包括第一栅格层和第二栅格层，第二栅格层覆盖第一栅格层的侧壁和顶部，其中，第二栅格层的折射率大于第一栅格层的折射率。
本发明授权成像系统、图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 基底，包括多个像素单元和分离多个所述像素单元的隔离结构； 多个滤色器，位于所述基底上，并与多个所述像素单元分别对应； 栅格结构，所述栅格结构位于多个所述滤色器之间，并且分别沿第一方向和第二方向延伸，所述栅格结构包括第一栅格层和第二栅格层，所述第一栅格层包括依次堆叠的氮化物层、第一氧化层、导电层和第二氧化层，所述第二栅格层覆盖所述氮化物层、所述导电层和所述第一氧化层的侧壁以及所述第二氧化层的顶部和侧壁，所述第一氧化层、所述导电层和所述第二氧化层的厚度沿背离所述基底的方向依次增加；所述氮化物层的厚度大于所述第一氧化层的厚度且小于所述导电层的厚度以及所述第二氧化层的厚度； 所述第二栅格层的折射率大于所述第一栅格层的折射率。
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