长鑫存储技术有限公司王学伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310416983.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构是由王学伟;张涛设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构，其中，半导体器件的布局结构包括：多个第一有源区，均沿第一方向延伸；两个栅极连接结构，沿第一方向排布，每个栅极连接结构均包括互连的2N个第一栅极和2N个第二栅极；第一栅极对应第一有源区；N为正整数；2N个第三栅极；其中，N个第三栅极位于两个栅极连接结构之间，且与两个栅极连接结构的各N个第二栅极对应；剩余的N个第三栅极位于一个栅极连接结构远离另一个栅极连接结构的一侧，且与一个栅极连接结构剩余的N个第二栅极对应；第二栅极以及第三栅极均沿第二方向延伸；第二方向与第一方向垂直。
本发明授权半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的布局结构，其特征在于，包括： 多个第一有源区，均沿第一方向延伸； 两个栅极连接结构，沿所述第一方向排布，每个所述栅极连接结构均包括互连的2N个第一栅极和2N个第二栅极；所述第一栅极对应所述第一有源区；所述N为正整数； 2N个第三栅极；其中，N个第三栅极位于沿所述第一方向相邻的所述两个栅极连接结构之间，且与两个栅极连接结构的各N个第二栅极对应，且所述N个第三栅极对应的器件分别与相邻的所述两个栅极连接结构的各N个第二栅极对应的器件电连接；剩余的N个第三栅极位于一个所述栅极连接结构远离另一个栅极连接结构的一侧，且与所述一个栅极连接结构剩余的N个第二栅极对应；所述第二栅极以及所述第三栅极均沿第二方向延伸；所述第二方向与所述第一方向垂直。
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