长鑫存储技术有限公司冯道欢获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310429331.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由冯道欢设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向延伸的沿第二方向分立排布的多个线状图形，线状图形包括沿竖直方向交替层叠的第一分隔层和复合层，电容器区域的复合层包括位于相邻的第一分隔层之间的半导体层以及位于半导体层与第一分隔层之间的至少一层第二分隔层，半导体层、第一分隔层和第二分隔层中的任意两者之间夹设有第一空腔；位于第二分隔层和半导体层的竖直侧壁表面及第一空腔的内壁的第一电极层；位于第一电极层的表面上以及第一分隔层的竖直侧壁表面上的电介质层；位于电介质层的表面上且填充第一空腔的第二电极层。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向延伸的沿第二方向分立排布的多个线状图形，所述线状图形包括沿竖直方向交替层叠的第一分隔层和复合层，所述复合层包括沿竖直方向依次层叠的第一牺牲层、半导体层和第二牺牲层，所述复合层还包括位于所述第一牺牲层和或第二牺牲层中的至少一层第二分隔层； 去除所述堆叠结构中位于电容器区域的所述第一牺牲层和第二牺牲层，以形成第一空腔； 在所述第二分隔层和半导体层的竖直侧壁表面及所述第一空腔的内壁形成第一电极层； 在所述第一电极层的表面上以及所述第一分隔层的竖直侧壁表面上形成电介质层； 在所述电介质层的表面上形成第二电极层，所述第二电极层填充满剩余的第一空腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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