长鑫存储技术有限公司肖德元获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310454276.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其制造方法是由肖德元;安达隆郞;曹堪宇;朱一明设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底以及位于基底上的多个半导体柱，多个半导体柱沿第一方向间隔排布；沿第一方向间隔排布的多个栅极结构，每一栅极结构环绕半导体柱的侧壁，且栅极结构与沿第一方向间隔排布的半导体柱一一对应；多个相互间隔的第一导电层，沿第一方向相邻的两个栅极结构之间具有一第一间隔，一第一导电层位于一第一间隔中，每一第一导电层所处的电位均可调节；介质层，至少位于栅极结构和第一导电层之间。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底以及位于所述基底上的多个半导体柱，多个所述半导体柱沿第一方向间隔排布； 沿所述第一方向间隔排布的多个栅极结构，每一所述栅极结构环绕所述半导体柱的侧壁，且所述栅极结构与沿所述第一方向间隔排布的所述半导体柱一一对应； 多个相互间隔的第一导电层，沿所述第一方向相邻的两个所述栅极结构之间具有一第一间隔，一所述第一导电层位于一所述第一间隔中，每一所述第一导电层所处的电位均可调节； 介质层，至少位于所述栅极结构和所述第一导电层之间； 与所述半导体柱一一对应且相互间隔的多个第二导电层，一所述第二导电层的部分区域位于一所述半导体柱中，所述半导体柱露出一所述第二导电层的剩余区域，且所述第二导电层与所述栅极结构相互间隔，每一所述第二导电层所处的电位均可调节。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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