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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118890896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310454225.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维存储器及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种三维存储器及其制备方法。所述三维存储器包括：存储阵列结构和周边结构。存储阵列结构包括交替层叠的多个隔离层和多个半导体层。周边结构设置于存储阵列结构的周侧，包括至少一个阶梯结构和多个第一位线、多个第二位线。阶梯结构包括沿第一方向延伸的第一台阶组和沿第二方向延伸的第二台阶组。第一台阶组包括第一导电台阶，第二台阶组包括第二导电台阶；各第一导电台阶和各第二导电台阶分别与不同层的半导体层对应连接。第一位线设置于对应第一导电台阶的上表面，第二位线设置于对应第二导电台阶的上表面。所述三维存储器及其制备方法有利于进一步提升三维存储器的存储密度及存储容量。

本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 存储阵列结构，包括：交替层叠的多个隔离层和多个半导体层；以及，周边结构，设置于所述存储阵列结构的周侧；所述周边结构包括： 至少一个阶梯结构，设置于所述存储阵列结构的拐角处；所述阶梯结构包括：沿第一方向延伸的第一台阶组，以及沿第二方向延伸的第二台阶组；其中，所述第一方向和所述第二方向相交；所述第一台阶组包括多个第一导电台阶，所述第二台阶组包括多个第二导电台阶；各所述第一导电台阶和各所述第二导电台阶分别与不同层的所述半导体层对应连接； 多个第一位线，分别设置于对应所述第一导电台阶的上表面；所述第一位线沿垂直于所述第一导电台阶上表面的方向延伸； 多个第二位线，分别设置于对应所述第二导电台阶的上表面；所述第二位线沿垂直于所述第二导电台阶上表面的方向延伸； 其中，所述第一台阶组位于所述第二台阶组的上方；其中，与各所述第一导电台阶分别对应连接的所述半导体层的拐角边缘包括弧形边缘；所述弧形边缘的曲率中心位于所述半导体层的外部，且多个所述半导体层中所述弧形边缘的曲率半径沿所述半导体层的堆叠方向逐渐增大。

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