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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118890898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310454386.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维存储器及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种三维存储器及其制备方法。所述三维存储器包括：存储阵列结构和周边结构。存储阵列结构包括交替层叠的多个隔离层和多个半导体层。周边结构设置于所述存储阵列结构的周侧。周边结构包括至少一个阶梯结构和多个位线。阶梯结构包括多个导电台阶。导电台阶与半导体层对应连接。位线设置于对应导电台阶的上表面，并沿垂直于所述上表面的方向延伸。所述三维存储器及其制备方法有利于进一步提升三维存储器的存储密度及存储容量。

本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 存储阵列结构，包括：交替层叠的多个隔离层和多个半导体层；以及，周边结构，设置于所述存储阵列结构的周侧；所述周边结构包括： 至少一个阶梯结构；所述阶梯结构包括多个导电台阶；所述导电台阶与所述半导体层对应连接； 多个位线；所述位线设置于对应所述导电台阶的上表面，并沿垂直于所述上表面的第一方向延伸； 其中，各所述半导体层均包括：沿第二方向延伸且平行间隔设置的多个条状结构；其中，各所述半导体层中的多个所述条状结构沿所述第一方向排布呈列，沿第三方向排布呈行；所述第二方向和所述第三方向平行于所述半导体层的上表面且相交； 其中，所述存储阵列结构还包括：多个电容器；所述电容器设置于对应所述条状结构背离所述周边结构的一端；所述电容器包括层叠设置的第一电极层、介电层和第二电极层； 其中，任一所述半导体层中的多个条状结构，包括：分别设置于第一条状结构组内的多个第一条状结构，以及分别设置于第二条状结构组内的多个第二条状结构；其中，所述第一条状结构组和所述第二条状结构组以虚拟中心线为对称轴左右对称，所述虚拟中心线沿所述第三方向延伸，所述第三方向垂直于所述第二方向； 多个所述电容器，包括：分别设置于对应所述第一条状结构背离所述周边结构一端的第一电容器，以及分别设置于对应所述第二条状结构背离所述周边结构一端的第二电容器；其中，各所述第一电容器和各所述第二电容器的第二电极层为一体结构； 其中，所述阶梯结构的数量为两个，两个所述阶梯结构以所述虚拟中心线为对称轴设置于所述存储阵列结构的左右两侧；其中，一个所述阶梯结构中的所述导电台阶对应连接所述第一条状结构，另一个所述阶梯结构中的所述导电台阶对应连接所述第二条状结构。

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