长鑫存储技术有限公司曹凯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310484601.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由曹凯设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构的制造方法包括：在基底上依次形成第二叠层结构和第一叠层结构；其中，所述第一叠层结构包括依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿所述第一支撑层和所述第一牺牲层的第一初始孔；沿所述第一初始孔侧向刻蚀所述第一牺牲层，以扩大所述第一初始孔部分孔段的孔径；其中，扩大孔径后的所述第一初始孔构成第一通孔；在所述第一通孔的表面形成第一导电层；沿着所述第一通孔，依次刻蚀所述第一通孔底面的所述第一导电层和所述第二叠层结构，形成贯穿所述第二叠层结构且显露出所述基底的第二通孔；在剩余的所述第一导电层的表面和所述第二通孔的表面形成第二导电层。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 在基底上依次形成第二叠层结构和第一叠层结构；其中，所述第一叠层结构包括依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层； 形成贯穿所述第一支撑层和所述第一牺牲层的第一初始孔； 沿所述第一初始孔侧向刻蚀所述第一牺牲层，以扩大所述第一初始孔部分孔段的孔径；其中，扩大孔径后的所述第一初始孔构成第一通孔； 在所述第一通孔的表面形成第一导电层； 沿着所述第一通孔，依次刻蚀所述第一通孔底面的所述第一导电层和所述第二叠层结构，形成贯穿所述第二叠层结构且显露出所述基底的第二通孔； 在剩余的所述第一导电层的表面和所述第二通孔的表面形成第二导电层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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