南方科技大学;江苏卓胜微电子股份有限公司于洪宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南方科技大学;江苏卓胜微电子股份有限公司申请的专利一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410441529.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法是由于洪宇;王沛然;汪青;何佳琦;邓宸凯;樊涤非;陶赓名设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种线性度提高的氮化镓器件，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下包括电极延伸部分、V型结构和基底结构。本发明提供了一种线性度提高的氮化镓器件，利用双晶向的迁移率与二维电子气浓度不同的性质，可以实现器件的跨导平坦度调制，从而实现更高的线性度；具体地，本发明在m晶面GaN外延片上直接外延常规的AlxGa1‑xNGaN异质结再进行双晶向沟道的氮化镓器件的制备即可实现高线性度，不需要特殊的外延结构，从而降低了外延设计的成本。
本发明授权一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下依次包括如下结构：电极延伸部分、V型结构和基底结构； 其中基底结构：所述基底结构自上而下包括缓冲层和衬底； 所述缓冲层自上而下包括第二缓冲层和第一缓冲层； V型结构：所述V型结构设置在所述第一缓冲层之上，所述V型结构为横截面形状为V型的多层结构，所述V型结构自上而下依次为电极层、势垒层和第二缓冲层； 所述第二缓冲层为所述第一缓冲层在V型结构上的延伸部分； 所述V型结构的电极层的全部表面和所述第二缓冲层的外侧，均被Si3N4形成的钝化层所覆盖； 所述电极层由源极、漏极和栅极组成，其中栅极沉积于V型结构的中心位置，源极和漏极分别沉积于V型结构的两端，并且源极和漏极与栅极之间均留有空隙； 电极延伸部分：所述源极、漏极和栅极均部分向器件上方延伸，分别形成源极、漏极和栅极的电极延伸部分； 所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料均为m晶面GaN材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南方科技大学;江苏卓胜微电子股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励