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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310533351.8，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构是由于中尧;杨芳设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构，涉及半导体封装技术领域，以解决制造过程中基板过度翘曲的问题。内埋芯片基板的制造方法包括基板开窗、第一临时键合、贴芯片、第一压合填埋树脂、第二临时键合、第一解键合、第二压合填埋树脂和第二解键合、盲孔加工等步骤。在贴芯片、埋入树脂、预固化等步骤中，均有第一支撑板和或第二支撑板对基板进行支撑，第一支撑板和或第二支撑板可以减小由于结构不对称导致的基板整体翘曲，保证了内埋芯片基板制造中，基板始终处于低翘曲的状态。此外每次在中间层线路进行绝缘层加工后均进行一次固化。临时键合结构是上述内埋芯片基板的制造方法过程中产生的一种临时结构。

本发明授权一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构在权利要求书中公布了：1.一种内埋芯片基板的制造方法，其特征在于，包括步骤： 基板开窗，在基板上开设用于容置芯片的容置腔，所述基板的两面分别为第一键合面和填埋树脂面； 第一临时键合，将第一键合材料层键合于所述第一键合面，且所述第一键合材料层背离所述基板的一侧固定有第一支撑板； 贴芯片，将芯片设置于所述容置腔内； 第一压合填埋树脂，在所述基板的填埋树脂面压合填埋树脂以形成第一树脂层，并进行第一次预固化，将该步骤形成的结构置于130℃‑150℃恒温环境中保持25min‑35min以使结构中的树脂进行预固化，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面； 第二临时键合，将第二键合材料层键合于所述第二键合面，且所述第二键合材料层背离所述第一树脂层的一侧固定有第二支撑板； 第一解键合，将所述第一键合材料层和第一树脂层解键合以去除所述第一键合材料层和第一支撑板； 第二压合填埋树脂，在所述基板的第一键合面压合填埋树脂以形成第二树脂层，并进行第二次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至70％以上； 第二解键合，将所述第二键合材料层解键合以去除所述第二键合材料层和第二支撑板； 盲孔加工，在上一步骤形成的结构的上表面和下表面开设盲孔； 电路制作，在盲孔加工形成的结构的上表面和下表面加工电路； 固化，将电路制作形成的结构中的树脂层进行固化至90%以上； 绝缘层加工，在固化步骤形成的结构中的上表面和下表面均设置树脂绝缘层，且进行第三次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至70％‑80％； 制作中间电路以及外层电路，重复N次盲孔加工、电路制作、固化步骤和绝缘层加工步骤，N≥0，以形成N层中间电路，之后重复盲孔加工、电路制作和固化步骤，形成外层电路； 制作阻焊层，在所述外层电路表面制作阻焊层； 涂层，在所述制作阻焊层之后形成的结构表面涂覆涂层。

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