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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410997163.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法是由刘国梁;郭汉玉;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法。该器件包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，在两个p型基区之间设有p+型浮空背势垒，p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区；在n型漂移层的上方从左至右依次设有第一源极金属层、氧化层以及第二源极金属层，氧化层内包裹有多晶硅栅，氧化层的下方设有与多晶硅栅邻接的栅氧化层，p+型浮空背势垒位于栅氧化层的下方并与栅氧化层形成浮空背势垒栅结构。本发明能够通过浮空背势垒防止大量电子进入栅氧化层导致栅氧化层的退化，从而提高功率器件的可靠性。

本发明授权碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅基浮空背势垒栅功率器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在所述n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，在两个所述p型基区之间设有p+型浮空背势垒，所述p+型浮空背势垒与所述p型基区间隔设置，所述p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区，所述p+型源区以及所述n+型源区并排设置且侧面相互接触，所述p+型源区靠近所述n型漂移层的侧面设置；在所述n型漂移层的上方从左至右依次设有第一源极金属层、氧化层以及第二源极金属层，所述氧化层内包裹有平面多晶硅栅，所述氧化层的下方设有与所述平面多晶硅栅邻接的栅氧化层，所述p+型浮空背势垒位于所述栅氧化层的下方并与所述栅氧化层接触形成浮空背势垒栅结构； 在所述第一源极金属层、所述氧化层以及所述第二源极金属层的上方设有顶部金属层，在所述顶部金属层的上方设有钝化层； 所述p+型浮空背势垒的深度为3.0μm，掺杂浓度为1e18 cm‑3~1e19 cm‑3。

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