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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410997425.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法是由刘国梁;朱斯天;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法。该MOSFET在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有第一p+型源区以及n+型源区；在两个p型基区之间设有沿p型基区的延伸方向间隔设置的两个第二p+型源区；在n型漂移层的上方两侧分别设有第一源极金属层、第二源极金属层，在第一源极金属层与第二源极金属层之间并排设有第一栅氧化层、欧姆金属层以及第二栅氧化层；欧姆金属层对应第二p+型源区设置，并与第二p+型源区形成欧姆接触，在两个欧姆金属层之间设有肖特基金属层，肖特基金属层与n型漂移层形成肖特基接触。通过上述方式，本发明能够避免栅氧化层退化，改善器件的性能。

本发明授权栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在所述n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，所述p型基区内包裹有第一p+型源区以及n+型源区，所述第一p+型源区以及所述n+型源区并排设置且侧面相互接触，所述第一p+型源区靠近所述n型漂移层的侧面设置；在两个所述p型基区之间设有沿所述p型基区的延伸方向间隔设置的两个第二p+型源区；在所述n型漂移层的上方两侧分别设有第一源极金属层、第二源极金属层，在所述第一源极金属层与第二源极金属层之间并排设有第一栅氧化层、欧姆金属层以及第二栅氧化层；所述欧姆金属层对应所述第二p+型源区设置，并与所述第二p+型源区形成欧姆接触，在两个所述欧姆金属层之间设有肖特基金属层，所述肖特基金属层与所述欧姆金属层相互间隔设置，所述肖特基金属层位于所述n型漂移层的上方，并与所述n型漂移层形成肖特基接触；在所述第一栅氧化层的上方设有第一氧化层，在所述第二栅氧化层的上方设有第二氧化层，所述第一氧化层内包裹有第一多晶硅栅，所述第二氧化层内包裹有第二多晶硅栅；在所述第一源极金属层、所述第一氧化层、所述肖特基金属层、所述欧姆金属层、所述第二氧化层以及所述第二源极金属层的上方设有顶部金属层，在所述顶部金属层的上方设有钝化层；所述制备方法包括： 步骤S1：在所述n+型碳化硅衬底上外延生长所述n型漂移层； 步骤S2：在所述n型漂移层上，依次通过生长第一掩蔽层工艺、高温氧化工艺、光刻工艺、刻蚀工艺以及离子注入工艺，形成所述p型基区； 步骤S3：利用所述第一掩蔽层生长一层低压四乙氧基硅酸盐玻璃，通过等离子体干法各向同性刻蚀工艺、自对准工艺以及离子注入工艺，形成所述n+型源区； 步骤S4：利用湿法去除所述第一掩蔽层，重新淀积各层的第二掩蔽层，通过光刻工艺、刻蚀工艺以及离子注入工艺，形成第一p+型源区以及第二p+型源区，所述第二p+型源区设置两个，且两个所述第二p+型源区沿所述p型基区的延伸方向间隔设置； 步骤S5：通过碳膜生长及高温激活工艺、氮退火工艺生长所述栅氧化层； 步骤S6：在所述栅氧化层上淀积饱和掺杂的多晶硅，通过光刻工艺和刻蚀工艺，形成相互分离的所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅； 步骤S7：在所述第一多晶硅栅、所述第二多晶硅栅和所述栅氧化层上淀积一层硼磷硅玻璃，通过光刻工艺和刻蚀工艺，对应所述第二p+型源区的位置形成所述第一氧化层、所述第二氧化层以及位于所述第一氧化层与所述第二氧化层之间的欧姆填充区，对应两个所述第二p+型源区之间的位置形成氧化区； 步骤S8：在所述氧化区和氧化层的两侧，通过淀积金属工艺和快速退火工艺，形成所述第一源极金属层、所述第二源极金属层以及所述欧姆金属层； 步骤S9：在所述氧化区通过干法刻蚀工艺形成相互分离的所述第一氧化层、所述第二氧化层以及位于所述第一氧化层和所述第二氧化层之间的肖特基填充区，在所述肖特基填充区淀积一层金属钛，经过退火工艺形成所述肖特基金属层； 步骤S10：在所述第一源极金属层、所述第一氧化层、所述肖特基金属层、所述欧姆金属层、所述第二氧化层以及所述第二源极金属层的上方，通过溅射工艺和刻蚀工艺形成所述顶部金属层，并在所述顶部金属层上沉积所述钝化层； 步骤S11：在所述n+型碳化硅衬底的背部通过淀积金属工艺和激光退火工艺形成所述背部漏极金属层，完成栅集成肖特基接触和欧姆接触的碳化硅MOSFET的制备。

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