长鑫存储技术有限公司郭敬云获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310513571.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由郭敬云设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底上形成有位线结构，位线结构间隔设置，相邻的位线结构被沟槽隔开；在沟槽中形成第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层内形成有暴露的空气隙；填充满暴露的空气隙以形成第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层的掺杂浓度与第二掺杂半导体层的掺杂浓度不同；第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层共同形成接触插塞。本公开在第一掺杂半导体层的暴露的空气隙中填充满第二掺杂半导体层，在沟槽中形成的接触插塞的顶面为平面，避免暴露的空气隙影响接触插塞的顶面轮廓，提升了半导体结构的电传输性能和良品率。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供衬底，所述衬底上形成有位线结构，所述位线结构间隔设置，相邻的所述位线结构被沟槽隔开； 在所述沟槽中形成第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层内形成有暴露的空气隙； 填充满所述暴露的空气隙以形成第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层的掺杂浓度与所述第二掺杂半导体层的掺杂浓度不同，所述第一掺杂半导体层的掺杂浓度为15×e20 atcm3 ‑20×e20 atcm3；所述第二掺杂半导体层的掺杂浓度为6.6×e20 atcm3 ‑7.6×e20 atcm3；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层共同形成接触插塞。
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