中国计量大学李向军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118981065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411067317.7，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法是由李向军;徐泽堃;严德贤;陈东哲设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法，属于太赫兹技术领域。从上至下为交替层叠的光栅层和缺陷一维光子晶体层；最外侧为光栅层；单独的缺陷一维光子晶体层中包含两个完全相同的布拉格反射结构；两个完全相同的布拉格反射结构呈对称分布；两个完全相同的布拉格反射结构之间为缺陷腔；单独布拉格反射结构为交替层叠的硅层和空气层；最外侧为硅层；缺陷腔的宽度从上至下依次递减；缺陷腔中心位置竖直设置有衬底；衬底单侧表面涂覆有薄膜分析层。本发明提供的器件能够鉴别0.1μm厚的薄膜分析层，吸收增强因子为303倍，在0.49～0.57THz宽频段简单有效地检测微量分析物。
本发明授权一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件，其特征在于，从上至下为交替层叠的光栅层和缺陷一维光子晶体层；最外侧为光栅层； 缺陷一维光子晶体层堆叠层数为15层； 单独的缺陷一维光子晶体层中包含两个完全相同的布拉格反射结构； 两个完全相同的布拉格反射结构呈对称分布； 两个完全相同的布拉格反射结构之间为缺陷腔； 单独布拉格反射结构为交替层叠的硅层和空气层；空气层夹设在相邻的硅层之间； 缺陷腔的宽度从上至下依次递减，每层递减的步长为8~12μm； 缺陷腔中心位置竖直设置有衬底；衬底单侧表面涂覆有薄膜分析层； 顶层缺陷腔的宽度≤390μm；缺陷腔的宽度从上至下依次递减，缺陷腔的最短宽度≥250μm。
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