长鑫存储技术有限公司刘莹获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310532591.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由刘莹设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：芯片单元，芯片单元包括第一区域和位于第一区域外围的第二区域，位于第一区域上的多个第一连接结构和位于第二区域上的多个第二连接结构，其中，相邻的第一连接结构之间的间距小于相邻的第二连接结构之间的间距，主路径，位于第二区域上，主路径两侧相对设置的两个第二连接结构之间的间距大于其他位置处相邻两个第二连接结构之间的间距。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 芯片单元，所述芯片单元包括第一区域和位于所述第一区域外围的第二区域； 多个连接结构，所述连接结构包括位于所述第一区域上的多个第一连接结构和位于所述第二区域上的多个第二连接结构，其中，在第一方向上，相邻的所述第一连接结构之间的间距小于相邻的所述第二连接结构之间的间距，所述第一方向平行于所述芯片单元的平面； 主路径，位于所述第二区域上，所述主路径两侧相对设置的两个所述第二连接结构之间的间距大于其他位置处相邻两个所述第二连接结构之间的间距； 其中，所述连接结构还包括位于所述第二区域上的多个第三连接结构，所述第三连接结构设置在所述主路径上，所述第三连接结构的顶表面低于所述第二连接结构的顶表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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