长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118984592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310523748.9，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权半导体器件及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件的制备方法包括：提供衬底，衬底包括器件区、以及位于器件区沿第一方向至少一侧的台阶区；在衬底上形成沿第三方向交替排布的第一间隔层和第二间隔层，以形成初始堆叠结构；在初始堆叠结构上形成第一掩膜层；第一掩膜层具有第一区域和第二区域；第一区域和第二区域的刻蚀速率不同；采用多步刻蚀工艺，沿第三方向刻蚀第一掩膜层和台阶区，以在台阶区形成台阶结构；台阶结构具有暴露第一间隔层的第一台阶区和暴露第二间隔层的第二台阶区；其中，沿第三方向每相邻的一组第一间隔层和第二间隔层在同一步刻蚀工艺中被暴露。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底包括器件区、以及位于所述器件区沿第一方向至少一侧的台阶区； 在所述衬底上形成沿第三方向交替排布的第一间隔层和第二间隔层，以形成初始堆叠结构； 在所述初始堆叠结构上形成第一掩膜层；所述第一掩膜层具有第一区域和第二区域； 所述第一区域和所述第二区域的刻蚀速率不同； 采用多步刻蚀工艺，沿所述第三方向刻蚀所述第一掩膜层和所述台阶区，以在所述台阶区形成台阶结构；所述台阶结构具有暴露所述第一间隔层的第一台阶区和暴露所述第二间隔层的第二台阶区；其中，沿所述第三方向每相邻的一组所述第一间隔层和所述第二间隔层在同一步刻蚀工艺中被暴露； 所述第一方向平行于所述衬底所在的平面，所述第三方向与所述衬底所在的平面相交。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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