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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119012683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310553592.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构是由杨蒙蒙设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底上形成有堆叠结构，堆叠结构包括交替设置的牺牲层和有源层，且堆叠结构包括邻接的第一部分和第二部分；图形化第一部分中的有源层，且去除第一部分中的牺牲层，第一部分中剩余有源层构成间隔排布的多个第一有源柱；形成第一填充层，第一填充层填充满相邻第一有源柱之间的间隙；图形化第二部分中的有源层，且去除第二部分中的牺牲层，剩余有源层构成间隔排布的多个第二有源柱，且第二有源柱与第一有源柱接触连接以构成有源柱；形成第二填充层，第二填充层填充满相邻第二有源柱之间的间隙。本公开实施例至少可以修整第一填充层和第二填充层的侧壁。

本发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的牺牲层和有源层，且所述堆叠结构包括邻接的第一部分和第二部分； 图形化所述第一部分中的所述有源层，且去除所述第一部分中的所述牺牲层，所述第一部分中剩余的所述有源层构成沿第二方向和第三方向间隔排布的多个第一有源柱，所述第一有源柱沿第一方向延伸，所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向三者两两相交； 形成第一填充层，所述第一填充层填充满相邻所述第一有源柱之间的间隙； 图形化所述第二部分中的所述有源层，且去除所述第二部分中的所述牺牲层，所述第二部分中剩余的所述有源层构成沿所述第二方向和所述第三方向间隔排布的多个第二有源柱，且所述第二有源柱与所述第一有源柱接触连接以构成有源柱； 形成第二填充层，所述第二填充层填充满相邻所述第二有源柱之间的间隙； 其中，在形成所述第二填充层之后，还包括： 形成多个第一通孔，所述第一通孔贯穿沿所述第二方向间隔排布的相邻所述第一有源柱之间的所述第一填充层； 形成第三填充层，所述第三填充层填充满所述第一通孔； 去除至少部分所述第三填充层，以露出所述第一有源柱的至少部分表面； 形成栅极，所述栅极覆盖露出的所述第一有源柱的至少部分表面。

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