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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411125791.0，技术领域涉及：H01L21/52；该发明授权芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构是由黄佳鑫;杨晨;童富荣设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构。制备方法包括以下步骤：在基板上安装芯片；在芯片的背面上设置环形围坝；安装散热盖，散热盖包括侧围和顶盖部，侧围周向环绕于顶盖部，顶盖部朝向芯片的一侧设有凸台；顶盖部设有贯通顶盖部的注入孔和排气孔，注入孔和排气孔位于顶盖部的凸台的周围；侧围安装在基板上，顶盖部安装在环形围坝上，顶盖部的注入孔、排气孔以及凸台都位于环形围坝内，凸台侧壁与环形围坝设有预定间距，顶盖部与芯片的背面及芯片的环形围坝围绕形成容纳腔，容纳腔通过注入孔和排气孔与外界连通；在预定环境环境温度条件下，从注入孔向容纳腔注入熔融铟，待熔融铟灌满容纳腔后，将注入孔和排气孔密封。

本发明授权芯片封装结构的制备方法及芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在基板上安装芯片； 在所述芯片的背面上设置环形围坝； 安装散热盖，其中，所述散热盖包括侧围和顶盖部，所述侧围周向环绕于所述顶盖部，所述顶盖部朝向所述芯片的一侧设有凸台，所述凸台的厚度小于所述环形围坝的高度；所述顶盖部设有贯通所述顶盖部的注入孔和排气孔，所述注入孔和所述排气孔位于所述顶盖部的所述凸台的周围； 所述侧围安装在所述基板上，所述顶盖部安装在所述环形围坝上，所述顶盖部的所述注入孔、所述排气孔以及所述凸台都位于所述环形围坝内，凸台侧壁与所述环形围坝设有预定间距，所述顶盖部与所述芯片的背面及所述芯片的所述环形围坝围绕形成容纳腔，所述容纳腔通过所述注入孔和所述排气孔与外界连通； 在预定环境温度条件下，从所述注入孔向所述容纳腔注入熔融铟，待熔融铟灌满所述容纳腔后，将所述注入孔和所述排气孔密封； 所述凸台朝向所述芯片的一侧镀银和或所述芯片朝向所述顶盖部的一侧镀银。

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