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龙图腾网获悉苏州融睿电子科技有限公司申请的专利芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411113082.0，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权芯片封装结构是由邹本辉设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片封装结构，包括设置在晶圆层外围的第一导热层、第二导热层、密封层，以及与晶圆层电连接的金属引线。第一导热层包裹晶圆层，晶圆层的厚度为0.4‑0.6mm，第一导热层的厚度为0.08‑0.12mm；第二导热层未完全包裹第一导热层，且第二导热层覆盖第一导热层的面积大于第一导热层自身面积的90％，且第二导热层的厚度为0.18‑0.22mm；第二导热层的导热系数大于第一导热层的导热系数；密封层的厚度为0.2‑0.4mm。进一步第一导热层包括厚度不等的第一上导热层和第一下导热层，改善晶圆层到第一导热层的热量导出效率，来提升芯片封装结构的散热效果。

本发明授权芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，包括：设置在晶圆层外围的第一导热层、第二导热层、密封层，以及与所述晶圆层电连接的金属引线； 其特征在于，从所述芯片封装结构的一个剖面上看，所述第一导热层包裹所述晶圆层，所述晶圆层的厚度T1为0.4‑0.6mm； 所述第一导热层包括第一上导热层和第一下导热层；所述金属引线与所述晶圆层连接，并从所述第一上导热层和所述第一下导热层接触的位置引出，所述第一上导热层的厚度为T21，所述第一下导热层的厚度为T22，T22＞T21，所述第一导热层的厚度T21为0.08‑0.12mm； 所述第二导热层未完全包裹所述第一导热层，且所述第二导热层覆盖所述第一导热层的面积大于所述第一导热层自身面积的90%，且所述第二导热层的厚度T3为0.18‑0.22mm； 所述第二导热层未完全包裹所述第一导热层的位置填充所述密封层，所述密封层的厚度T4为0.2‑0.4mm，所述金属引线的直径为0.08‑0.12mm； 所述第二导热层的导热系数大于所述第一导热层的导热系数，所述第一导热层的热膨胀系数与所述晶圆层的热膨胀系数之差的绝对值小于所述第二导热层的热膨胀系数与所述晶圆层的热膨胀系数之差的绝对值。

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