买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310576585.0，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器是由侯闯明设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：形成于有源区表面、且依次间隔排布的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第四栅极结构；第一栅极结构包括第一栅介质层和第一栅导电层；第二栅极结构包括第二栅介质层和第二栅导电层；第三栅极结构包括第三栅介质层和第三栅导电层；第四栅极结构包括第四栅介质层和第四栅导电层；其中，第一栅介质层在第三方向上的尺寸小于第二栅介质层在第三方向上的尺寸，第一栅导电层与第二栅导电层在有源区的外侧相互电连接；第四栅介质层在第三方向上的尺寸小于第三栅介质层在第三方向上的尺寸，第四栅导电层与第三栅导电层在有源区的外侧相互电连接。

本发明授权反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括： 衬底，包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于所述有源区中、且依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区； 第一栅极结构，位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述有源区的表面，包括位于所述有源区上的第一栅介质层和位于所述第一栅介质层上的第一栅导电层； 第二栅极结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述有源区的表面，包括位于所述有源区上的第二栅介质层和位于所述第二栅介质层上的第二栅导电层； 第三栅极结构，位于所述第三掺杂区与所述第四掺杂区之间的所述有源区的表面，包括位于所述有源区上的第三栅介质层和位于所述第三栅介质层上的第三栅导电层； 第四栅极结构，位于所述第四掺杂区与所述第五掺杂区之间的所述有源区的表面，包括位于所述有源区上的第四栅介质层和位于所述第四栅介质层上的第四栅导电层； 其中，所述第一栅介质层在第三方向上的尺寸小于所述第二栅介质层在所述第三方向上的尺寸，所述第一栅导电层与所述第二栅导电层在所述有源区的外侧相互电连接；所述第四栅介质层在所述第三方向上的尺寸小于所述第三栅介质层在所述第三方向上的尺寸，所述第四栅导电层与所述第三栅导电层在所述有源区的外侧相互电连接； 所述第三方向垂直于所述衬底所在的平面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。