长鑫存储技术有限公司白文琦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种集成电路的布局结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310588213.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种集成电路的布局结构及存储器是由白文琦设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路的布局结构及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种集成电路的布局结构及存储器，其中，集成电路包括一个对称晶体管和与对称晶体管串联的一个非对称晶体管，集成电路的布局结构包括：基底；对称晶体管包括位于基底上的第一栅极及位于基底内且位于第一栅极相对两侧的第一源漏极区和第二源漏极区，第一源漏极区由第一掺杂区构成，第二源漏极区由第二掺杂区构成；非对称晶体管包括位于基底上的第二栅极、第二掺杂区及位于基底内且位于第二栅极远离第二掺杂区一侧的第三掺杂区和轻掺杂源漏区；第四掺杂区，位于基底内，且与第三掺杂区均连接第一电源。可以降低集成电路布局结构对应的半导体结构的漏电流。
本发明授权一种集成电路的布局结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的布局结构，其特征在于，所述集成电路包括一个对称晶体管和与所述对称晶体管串联的一个非对称晶体管，所述集成电路的布局结构包括： 基底； 所述对称晶体管包括位于所述基底上的第一栅极及位于所述基底内且位于所述第一栅极相对两侧的第一源漏极区和第二源漏极区，所述第一源漏极区由第一掺杂区构成，所述第二源漏极区由第二掺杂区构成； 所述非对称晶体管包括位于所述基底上的第二栅极、所述第二掺杂区及位于所述基底内且位于所述第二栅极远离所述第二掺杂区一侧的第三掺杂区和轻掺杂源漏区； 第四掺杂区，位于所述基底内，且与所述第三掺杂区均连接第一电源。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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