长鑫存储技术有限公司顾婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310562768.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储阵列结构是由顾婷婷设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储阵列结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储阵列结构，存储阵列结构包括：基底；位于基底表面的多个呈四方排布的第一晶体管和多个呈六方密排的第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、和与第一半导体层不同区域电连接的第一电极和第二电极，第一电极位于基底表面，第二电极位于第一电极远离基底的一侧，相邻第二电极之间绝缘；第二晶体管包括第二半导体层、位于第二半导体层相对的两侧的第二栅极和第三栅极、和与第二半导体层不同区域电连接的第三电极和第四电极，第二电极还与第二栅极电连接。本公开实施例至少有利于提高存储阵列结构的电学性能，以及提高存储阵列结构的存储密度。
本发明授权存储阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底表面的多个第一晶体管和多个第二晶体管，多个所述第一晶体管呈四方排布，多个所述第二晶体管呈六方密排，所述第二晶体管和与其相邻的两个所述第一晶体管连成一个三角形，所述第一晶体管和所述第二晶体管构成一存储单元结构； 其中，所述第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、以及与所述第一半导体层不同区域电连接的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基底表面，所述第二电极位于所述第一电极远离所述基底的一侧，所述第一栅极、所述第一电极和所述第二电极三者中两两相互绝缘，且相邻所述第二电极之间绝缘； 所述第二晶体管包括第二半导体层、位于所述第二半导体层相对的两侧的第二栅极和第三栅极、以及与所述第二半导体层不同区域电连接的第三电极和第四电极，所述第二栅极、所述第三栅极、所述第三电极和所述第四电极四者中两两相互绝缘，所述第二电极还与所述第二栅极电连接。
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