长鑫存储技术有限公司李泽伦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310588471.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李泽伦;顾婷婷;薛兴坤设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、第一栅极结构、沟道层、源极漏极结构和缓冲层。其中，第一栅极结构位于衬底的顶面；沟道层位于第一栅极结构沿第一方向远离衬底的一侧；源极漏极结构位于沟道层沿第二方向的相对两侧；缓冲层位于沟道层沿第二方向的相对两侧，且位于沟道层与源极漏极结构之间；其中，第一方向与第二方向相交。上述结构能够减小器件的损伤、减小接触电阻并提升器件的使用寿命，进而提升半导体器件的整体性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底的顶面形成第一栅极结构； 于所述第一栅极结构沿第一方向远离所述衬底的一侧形成沟道层； 于所述沟道层沿第二方向的相对两侧形成缓冲层； 于所述缓冲层沿所述第二方向远离所述沟道层的一侧形成源极漏极结构；所述缓冲层位于所述沟道层与所述源极漏极结构之间；其中，所述第一方向与所述第二方向相交。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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