长鑫存储技术有限公司宋影获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310595673.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由宋影;崔兆培设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、扩大部以及节点接触部；衬底包括有源区和隔离结构，隔离结构位于相邻的有源区之间，有源区的端部处的隔离结构形成有第一缺口，有源区的端部形成有第二缺口，第一缺口与第二缺口连通；扩大部位于第一缺口内，扩大部与有源区有接触；节点接触部位于第二缺口内，节点接触部与有源区和扩大部均有接触。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括有源区和隔离结构，所述隔离结构位于相邻的所述有源区之间，所述有源区的端部处的所述隔离结构形成有第一缺口，所述有源区的端部形成有第二缺口，所述第一缺口与所述第二缺口连通； 扩大部，位于所述第一缺口内，所述扩大部与所述有源区有接触； 节点接触部，位于所述第二缺口内，所述节点接触部与所述有源区和所述扩大部均有接触； 多条埋入式字线，所述埋入式字线沿第一方向延伸，多条所述埋入式字线沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向垂直； 其中，在所述第二方向上，所述有源区与相邻的所述埋入式字线之间的距离大于所述扩大部的宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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