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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利适用于光存储的非正则二维纠错方法、读写方法、控制器及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119068960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411100227.3，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权适用于光存储的非正则二维纠错方法、读写方法、控制器及系统是由吴非;桂天炜;张猛;谢长生;李阳羿;吴润锦;郑旭达;李威;方争设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于光存储的非正则二维纠错方法、读写方法、控制器及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了适用于光存储的非正则二维纠错方法、读写方法、控制器及系统，属于光存储技术领域，编码步骤包括：交替使用纠错能力为tr1和tr2的RS码对数据块D的行进行编码，将生成的横向校验符号交织成nr行tr1+tr2列的横向校验块Pr；交替使用纠错能力为tl1和tl2的RS码对数据块D的列进行编码，将生成的列向校验符号交织成tl1+tl2行nl列的列向校验块Pl；使用RS码对Pr进行编码得到tl1+tl2行tr1+tr2列的额外校验块Pe；将D、Pr、Pl以及Pe组织为nr+tl1+tl2行nl+tr1+tr2列的编码块C。本发明能够在不增加校验符号数量的情况下，提升光存储系统中纠错码对于块状错误的纠错能力。

本发明授权适用于光存储的非正则二维纠错方法、读写方法、控制器及系统在权利要求书中公布了：1.一种适用于光存储的非正则二维纠错方法，其特征在于，包括：编码步骤；所述编码步骤包括： E1：对nr行nl列的数据块D分别进行横向编码和列向编码； 所述横向编码包括：交替使用纠错能力为tr1和tr2的RS码对所述数据块D的nr行进行编码，相应地交替生成2tr1个横向校验符号和2tr2个横向校验符号；将所有的横向校验符号交织成nr行tr1+tr2列的横向校验块Pr； 所述列向编码包括：交替使用纠错能力为tl1和tl2的RS码对所述数据块D的nl列进行编码，相应地交替生成2tl1个列向校验符号和2tl2个列向校验符号；将所有的列向校验符号交织成tl1+tl2行nl列的列向校验块Pl； 其中，tr1、tr2、tl1和tl2均为正整数，且tr1≠tr2、tl1≠tl2； E2：使用RS码对所述横向校验块Pr进行编码得到tl1+tl2行tr1+tr2列的额外校验块Pe； E3：将所述数据块D、所述横向校验块Pr、所述列向校验块Pl以及所述额外校验块Pe组织为nr+tl1+tl2行nl+tr1+tr2列的编码块C，完成对所述数据块D的编码。

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