矽磐微电子(重庆)有限公司;华润微电子控股有限公司刘飞获国家专利权
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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司;华润微电子控股有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310632230.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构是由刘飞设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。制造方法包括：形成包括第一芯片与塑封层的待布线结构；第一芯片的芯片正面设有多个焊垫；塑封层至少包封第一芯片的芯片侧面；形成再布线层，再布线层位于芯片正面且与焊垫电连接；再布线层设有至少一个朝向塑封层的台阶结构；在塑封层上形成贯穿塑封层的至少一个通孔；每一通孔与一个台阶结构相对应，通孔在芯片正面所在平面上的正投影全部落在再布线层在所述平面上的正投影内，且与对应的台阶结构未与塑封层接触的部分在所述平面上的正投影至少部分交叠；采用流动态的导电材料填充通孔，导电材料固化后形成导电部，并在芯片背面设置电气元件，将至少一个电气元件与导电部焊接在一起。
本发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 形成待布线结构，所述待布线结构包括第一芯片与塑封层；所述第一芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片正面设有多个焊垫；所述塑封层至少包封所述芯片侧面； 形成再布线层，所述再布线层位于所述芯片正面且与所述焊垫电连接；所述再布线层设有至少一个朝向所述塑封层的台阶结构； 在所述塑封层上形成贯穿所述塑封层的至少一个通孔；每一所述通孔与一个所述台阶结构相对应，所述通孔在所述芯片正面所在平面上的正投影全部落在所述再布线层在所述平面上的正投影内，且所述通孔在所述平面上的正投影与对应的所述台阶结构未与所述塑封层接触的部分在所述平面上的正投影至少部分交叠； 采用流动态的导电材料填充所述通孔，所述导电材料固化后形成导电部，并在所述芯片背面一侧设置电气元件，将至少一个所述电气元件与所述导电部焊接在一起。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人矽磐微电子(重庆)有限公司;华润微电子控股有限公司，其通讯地址为：401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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