长鑫存储技术有限公司宛强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310621367.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由宛强;孙耀;马驰原;曹成松设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供基底，基底包括阵列区、外围区和位于阵列区和外围区之间的交界区；在基底上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层，并在第二掩膜层中形成位于阵列区正上方的第一掩膜图案和位于交界区正上方的第二掩膜图案；第二掩膜图案的单元尺寸小于第一掩膜图案的单元尺寸；基于第一掩膜图案在第一掩膜层中形成位于阵列区正上方的第三掩膜图案，并基于第二掩膜图案形成位于交界区正上方的阻挡图案。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括阵列区、外围区和位于所述阵列区与所述外围区之间的交界区； 在所述基底上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层，并在所述第二掩膜层中形成位于所述阵列区正上方的第一掩膜图案和位于所述交界区正上方的第二掩膜图案；所述第二掩膜图案的单元尺寸小于所述第一掩膜图案的单元尺寸； 基于所述第一掩膜图案在所述第一掩膜层中形成位于所述阵列区正上方的第三掩膜图案，并基于所述第二掩膜图案形成位于所述交界区正上方的阻挡图案，包括：形成覆盖所述第一掩膜图案、所述第二掩膜图案和所述第一掩膜层的介质层，并使所述介质层的材料完全填充所述第二掩膜图案之间的间隙；形成覆盖位于所述外围区和所述交界区正上方的所述介质层的第一光刻胶层；去除覆盖所述第一掩膜图案的顶部的所述介质层以及所述第一掩膜图案，以形成第一间隔件；并去除所述第一光刻胶层以及位于所述交界区正上方的部分介质层；位于所述交界区正上方的所述第一掩膜层、所述第二掩膜图案和剩余的所述介质层构成所述阻挡图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励