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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119072115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310612717.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由胡敏锐;廖昱程;赵文礼;冯道欢;蒋懿;杨晨;肖德元设计研发完成，并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底、位线结构、绝缘层、栅介质层及栅电极层，衬底包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，各第一沟槽和各第二沟槽在衬底内分割出多个半导体柱，各半导体柱组成多个沿第二方向分布的半导体柱组，半导体柱组包括多个沿第一方向间隔分布的半导体柱；在平行于衬底的方向上，半导体柱的横截面的尺寸处处相等；位线结构位于半导体柱的下方，且沿第二方向延伸；绝缘层位于第一沟槽和第二沟槽的底部；栅介质层位于半导体柱组中的各半导体柱中未被绝缘层覆盖的侧壁的表面；栅电极层覆盖栅介质层的部分表面。本公开的本导体结构可提供稳定的阈值电压，减少漏电，提升导通电流。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括多个沿第一方向间隔分布并沿第二方向延伸的第一沟槽，以及多个沿所述第二方向间隔分布并沿所述第一方向延伸的第二沟槽，所述第二方向与所述第一方向相交； 各所述第一沟槽和各所述第二沟槽在所述衬底内分割出多个半导体柱，多个所述半导体柱组成多个沿所述第二方向分布的半导体柱组，所述半导体柱组包括多个沿所述第一方向间隔分布的半导体柱；在平行于所述衬底的方向上，所述半导体柱的横截面的尺寸处处相等； 位线结构，位于所述半导体柱的下方，且沿所述第二方向延伸； 绝缘层，位于所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部； 栅介质层，位于所述半导体柱组中的各所述半导体柱中未被所述绝缘层覆盖的侧壁的表面； 栅电极层，覆盖所述栅介质层的部分表面； 其中，所述绝缘层至少包括： 第一绝缘层，位于所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部； 第三绝缘层，包括位于所述第一绝缘层顶面和位于所述第一绝缘层与所述半导体柱之间的部分第二介质层； 所述栅介质层包括： 第二栅介质层，包括位于所述绝缘层远离所述位线结构的一侧的部分所述第二介质层； 其中，所述第二介质层位于所述第一绝缘层和所述半导体柱共同构成的结构的表面。

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