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龙图腾网获悉福建省福联集成电路有限公司申请的专利一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410944042.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法是由陈智广;林进福;钟陈鑫设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法，包括以下步骤：1源极和漏极的欧姆接触工艺；2聚合物的涂覆工艺；3第一层光刻工艺；4第二层光刻工艺；5栅极刻蚀工艺；6金属蒸镀工艺；7金属和光刻胶去除工艺；8聚合物去除工艺。本发明可以提高栅极稳定性的同时又保持器件的高频性能；本发明只需在现有工艺的基础上多外延一层聚合物层，需要增加的工艺流程少，工艺简单，成本低；本发明通过对聚合物层刻蚀的控制，能够更好的控制栅极的形状。

本发明授权一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高稳定性栅极的高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1源极和漏极的欧姆接触工艺：包括外延片，外延片从下到上依次包括层叠在一起的半导体材料衬底层、pHEMT器件结构层和盖帽层；在盖帽层的源极区和漏极区进行金属蒸镀形成源极和漏极，并通过欧姆接触工艺，使源极和漏极与盖帽层欧姆接触； 2聚合物的涂覆工艺：在盖帽层、源极和漏极上涂覆聚合物层； 3第一层光刻工艺：在聚合物层上涂覆第一层光刻胶，在栅极区、源极区和漏极区位置进行曝光、显影和刻蚀，去除第一层光刻胶和聚合物层，在聚合物层上形成栅极区凹槽、源极区凹槽和漏极区凹槽； 4第二层光刻工艺：去除剩余的第一层光刻胶，然后再涂覆上第二层光刻胶，在栅极区的位置进行曝光、显影，在第二层光刻胶上形成位于栅极区凹槽上方的栅极区上凹槽； 5栅极刻蚀工艺：对栅极区凹槽下方的盖帽层进行刻蚀，露出pHEMT器件结构层，在盖帽层上形成栅极区下凹槽； 6金属蒸镀工艺：对栅极区进行金属蒸镀，形成栅极，栅极的下端与pHEMT器件结构层固定接触； 7金属和光刻胶去除工艺：将蒸镀产生的多余的金属进行剥离，去除第二层光刻胶，再进行清洗； 8聚合物去除工艺：通过刻蚀去除聚合物层。

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