买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119095372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310625115.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由刘纪涛设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供具有第一表面的第一基体，在平行于第一表面的方向上，第一基体具有相邻的第一区域和第二区域，第一基体包括金属图案层和覆盖金属图案层的绝缘层，金属图案层中的电容触点位于第一区域中；沿垂直于第一表面的方向，去除位于第一区域的靠近第一表面的部分绝缘层，位于第一区域的剩余绝缘层未暴露出金属图案层，得到具有台阶结构的第二基体，台阶结构的第二台阶面的高度大于第一台阶面的高度；在第二基体上形成堆叠结构，并形成贯穿堆叠结构至台阶结构的接触孔阵列；形成下电极、电容介质层和上电极。

本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供具有第一表面的第一基体，在平行于所述第一表面的方向上，所述第一基体具有相邻的第一区域和第二区域，所述第一基体包括金属图案层和覆盖所述金属图案层的绝缘层，所述金属图案层中的电容触点位于所述第一区域中； 沿垂直于所述第一表面的方向，去除位于所述第一区域的靠近所述第一表面的部分绝缘层，位于所述第一区域的剩余绝缘层未暴露出所述金属图案层，得到具有台阶结构的第二基体，所述第二基体具有相邻的第三区域和第四区域，所述台阶结构具有位于所述第三区域的第一台阶面以及位于所述第四区域的第二台阶面，所述第二台阶面的高度大于所述第一台阶面的高度； 在所述第二基体上形成堆叠结构，并形成贯穿所述堆叠结构至所述台阶结构的接触孔阵列，所述接触孔阵列包括位于所述第三区域的第一接触孔以及位于所述第四区域的第二接触孔，第一接触孔暴露出位于所述第三区域的电容触点，所述第二接触孔暴露出位于所述第四区域的绝缘层，得到第三基体，所述第三基体具有相邻的第五区域和第六区域，且所述第三基体具有位于所述第五区域的第三台阶面以及位于所述第六区域的第四台阶面，所述第一接触孔分布于所述第三台阶面，所述第二接触孔分布于所述第四台阶面； 在所述第一接触孔中形成下电极，并顺序形成电容介质层和上电极，以使所述电容介质层位于所述下电极与所述上电极之间，得到电容结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。