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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119095374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411195334.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由谈亚丽;李辉辉;袁子豪;唐怡设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法，包括：提供衬底及位于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿竖直方向叠设的第一介质层和第二介质层；形成沿竖直方向贯穿叠层结构的通孔，通孔包括第一孔和第二孔，通孔露出衬底的部分表面，通孔的底面平齐于或低于衬底的顶面；于通孔内部形成侧墙保护层；于通孔露出的衬底的部分表面上形成底部保护层；填充隔离层于通孔内；去除第一孔内的隔离层和部分侧墙保护层，并在第一孔内形成晶体管结构；去除第二孔内的隔离层和部分侧墙保护层，并在第二孔内形成电容器结构，电容器结构与晶体管结构电连接。上述半导体结构的制备方法可以提升半导体结构的性能稳定性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底及位于所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括沿竖直方向叠设的第一介质层和第二介质层； 形成沿所述竖直方向贯穿所述叠层结构的通孔，所述通孔包括第一孔和第二孔，其中，所述第一孔和所述第二孔沿所述竖直方向延伸，所述通孔露出所述衬底的部分表面，所述通孔的底面平齐于或低于所述衬底的顶面； 于所述通孔内部形成侧墙保护层； 于所述通孔露出的衬底的部分表面上形成底部保护层； 填充隔离层于所述通孔内； 去除所述第一孔内的隔离层和部分侧墙保护层，并在所述第一孔内形成晶体管结构； 去除所述第二孔内的隔离层和部分侧墙保护层，并在所述第二孔内形成电容器结构，所述电容器结构与所述晶体管结构电连接； 其中，所述通孔的底面低于所述衬底的顶面，于所述通孔露出的衬底的部分表面上形成底部保护层包括： 采用第一外延生长工艺在所述通孔露出的衬底的部分表面上形成单晶硅层，所述单晶硅层的顶面低于所述衬底的顶面； 采用第二外延生长工艺在所述单晶硅层上形成硅锗层，所述单晶硅层的厚度小于硅锗层的厚度。

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