长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119095376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310625075.8，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体器件及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底，至少包括沿第一方向依次间隔排布的多个台阶区；堆叠结构，位于衬底表面；堆叠结构包括沿第三方向循环交替堆叠的间隔层和导电层；沿第二方向延伸的台阶结构，位于台阶区；台阶结构暴露出每一层导电层；第一方向与第二方向相交、且均平行于衬底所在的平面，第三方向与衬底所在的平面相交。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，至少包括沿第一方向依次间隔排布的多个台阶区； 堆叠结构，位于所述衬底表面；所述堆叠结构包括沿第三方向循环交替堆叠的间隔层和导电层； 沿第二方向延伸的台阶结构，位于所述台阶区；所述台阶结构暴露出每一层所述导电层； 所述第一方向与所述第二方向相交、且均平行于所述衬底所在的平面，所述第三方向与所述衬底所在的平面相交； 所述衬底还包括位于相邻所述台阶区之间的器件区；所述半导体器件还包括：多个栅极和多个通道层； 所述栅极位于所述器件区、且沿所述第三方向贯穿所述堆叠结构；所述栅极包括控制层和位于所述控制层侧壁的电荷存储层； 所述通道层至少位于所述电荷存储层的侧壁；其中，所述通道层、所述电荷存储层和所述控制层形成存储单元。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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