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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的量测分析方法和装置、可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411231362.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体结构的量测分析方法和装置、可读存储介质是由徐世斌;高大为;吴永玉;任堃;鲁苗苗;颜哲钜;姚淼红;张馨元;李翰轩设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的量测分析方法和装置、可读存储介质在说明书摘要公布了：一种半导体结构的量测分析方法和装置、可读存储介质，所述量测分析方法包括：提供具有图形化的光刻胶层的待刻蚀层；对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓；刻蚀所述待刻蚀层以形成经刻蚀层；对所述经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓；根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述经刻蚀层中图形的轮廓中至少一个进行测量分析。本发明技术方案中，基于图形的轮廓，进行测量分析，能够有效拓展分析数据范围、提高量测数据的可靠性，能够实现量测数据的全局分析，能够有效提高量测分析的可靠性和完备性。

本发明授权半导体结构的量测分析方法和装置、可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的量测分析方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有图形化的光刻胶层； 对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤包括：对所述图形化的光刻胶层进行第一量测，获得所述图形化的光刻胶层的图像；根据所述图形化的光刻胶层的图像，提取所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓； 以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的经刻蚀层； 对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤包括：对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测，获得所述图形化的经刻蚀层的图像；根据所述图形化的经刻蚀层的图像，提取所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓； 根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓中至少一个进行测量分析。

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