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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利读晶体管结构及其制备方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310626318.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权读晶体管结构及其制备方法和存储器是由谈亚丽设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本读晶体管结构及其制备方法和存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种读晶体管结构及其制备方法和存储器。读晶体管结构包括：基底、介质层、第一晶体管、第二晶体管和隔离层。介质层位于基底上。第一晶体管内嵌于介质层内。第二晶体管内嵌于介质层内，在介质层的厚度方向上与第一晶体管相对设置，且第二晶体管的源极电连接第一晶体管的源极，第二晶体管的漏极电连接第一晶体管的漏极。隔离层位于第一晶体管与第二晶体管之间。上述读晶体管结构及其制备方法和存储器，通过将读晶体管结构的第一晶体管和第二晶体管，二者中的其中一个用于形成存储节点且与写晶体管结构电连接，另一个用于与读取字线连接，从而可以有效降低存储器写入与读取之间的相互干扰，从而提高器件性能。

本发明授权读晶体管结构及其制备方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种读晶体管结构，其特征在于，包括： 基底； 介质层，位于所述基底上，第一晶体管，内嵌于所述介质层内； 第二晶体管，内嵌于所述介质层内，在所述介质层的厚度方向上与所述第一晶体管相对设置，且所述第二晶体管的源极电连接所述第一晶体管的源极，所述第二晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极； 隔离层，位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间； 沟槽，在所述介质层的厚度方向上贯穿所述介质层，且在所述介质层的厚度方向上，所述沟槽包括依次设置的沟槽下部、沟槽中部以及沟槽中部，所述第一晶体管内嵌于所述沟槽下部，所述隔离层位于所述沟槽中部，所述第二晶体管内嵌于所述沟槽上部； 共用源极，贯穿所述沟槽一侧的所述介质层，且与所述沟槽间隔设置，所述共用源极连接所述第一晶体管以及所述第二晶体管； 共用漏极，贯穿所述沟槽另一侧的所述介质层，且与所述沟槽间隔设置，所述共用源极连接所述第一晶体管以及所述第二晶体管； 所述第二晶体管包括： 第二有源层，位于所述介质层上表面、所述沟槽侧壁以及所述隔离层上表面，且两端分别连接所述共用源极与所述共用漏极； 第二栅介质层，位于所述第二有源层侧壁以及所述沟槽内的所述第二有源层上表面； 第二栅极，位于所述第二栅介质层表面。

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