长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310654330.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。所述存储单元，包括：一个或多个浮置体，外延层，字线及第一绝缘层。外延层位于任一浮置体在第一方向上相对的两侧壁上。外延层包括：与浮置体对应侧壁表面接触的沟道区，以及位于沟道区在第二方向上相对两侧的源极延伸区和漏极延伸区；第二方向与第一方向相交。字线位于沟道区背离浮置体的一侧。第一绝缘层位于字线和沟道区之间。本公开可以提高存储单元的传感裕度和数据保持功能，从而提升存储器的存储性能。
本发明授权存储单元、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 一个或多个浮置体； 外延层，位于任一所述浮置体在第一方向上相对的两侧壁上；所述外延层包括：与所述浮置体对应侧壁表面接触的沟道区，以及位于所述沟道区在第二方向上相对两侧的源极延伸区和漏极延伸区；所述第二方向与所述第一方向相交； 字线，位于所述沟道区背离所述浮置体的一侧； 第一绝缘层，位于所述字线和所述沟道区之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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