买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利纳米真空沟道晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411278494.X，技术领域涉及：H01J9/02；该发明授权纳米真空沟道晶体管及其制备方法是由陈锦;刘强;俞文杰设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米真空沟道晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种纳米真空沟道晶体管及其制备方法，本发明的纳米真空沟道晶体管中，发射极具有与收集极相对设置的尖端，于发射极和收集极之间限定一纳米间隙，能够实现纳米级的沟道，使得真空度对场发射晶体管的影响降低，栅电极设置于发射极和收集极的上方、下方和两侧中的至少一处，赋予器件所需的栅极控制能力，从而实现较低工作电压下器件的高速通断。通过本发明的制备方法中，采用成熟的光刻技术形成发射极的步骤之后，于发射极的侧壁形成牺牲侧墙结构，利用牺牲侧墙结构限定发射极与收集极之间的纳米间隙，保证真空沟道的纳米级加工精度，能够与CMOS工艺高度兼容，大幅降低器件的制造成本，工艺一致性高等优势。

本发明授权纳米真空沟道晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米真空沟道晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、绝缘层和顶功能层，对所述顶功能层进行第一次图形化，形成第一电极部； 于所述第一电极部的侧壁形成第一牺牲侧墙结构； 覆盖所述第一电极部、以及所述第一牺牲侧墙结构形成第一电极材料层，对所述第一电极材料层进行图形化以形成第一栅电极部，同时对所述顶功能层进行第二次图形化，基于所述第一电极部形成带有尖端的发射极，所述第一栅电极部具有邻近于所述发射极尖端的端部； 于所述发射极带有尖端的侧壁和所述第一栅电极部的侧壁，与所述第一牺牲侧墙结构相交地形成第二牺牲侧墙结构； 自所述第一牺牲侧墙结构和所述第二牺牲侧墙结构的相交区远离所述发射极的方向形成收集极，所述收集极邻接所述第一牺牲侧墙结构和所述第二牺牲侧墙结构形成于所述发射极尖端的对角位置，以及邻近于所述发射极尖端的端部而与所述第一栅电极部相对地形成第二栅电极部； 去除所述第一牺牲侧墙结构和所述第二牺牲侧墙结构，释放所述发射极与所述收集极之间的纳米间隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。