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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利兼容于BCD平台的结型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411151401.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权兼容于BCD平台的结型场效应晶体管及其制备方法是由姚致远;方明旭;王黎;陈华伦设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本兼容于BCD平台的结型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种兼容于BCD平台的结型场效应晶体管及其制备方法，其中制备方法中，在刻蚀LDMOS器件区的第二栅极打开第二漂移区的部分表面的同时，刻蚀JFET器件区的第一栅极的中间区域以形成第一开口，打开第一漂移区的部分表面，随后通过离子注入工艺，在JFET器件区的第一开口底部的第一漂移区中形成第一体区。本申请在形成第一体区过程中无需额外增加新光罩，在刻蚀LDMOS器件区的第二栅极打开第二漂移区的部分表面的过程中同步打开JFET器件区的后续进行第一体区注入的第一栅极中间区域，从而节省了单独打开第一栅极中间区域的光罩，简化了制备工艺，降低了成本。

本发明授权兼容于BCD平台的结型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种兼容于BCD平台的结型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底至少包含JFET器件区和LDMOS器件区； 对所述衬底进行多次离子注入工艺以在所述JFET器件区的衬底表面形成第一埋层，以及在所述LDMOS器件区的衬底表面形成第二埋层和环绕所述第二埋层的环形埋层； 形成外延层，所述外延层覆盖所述JFET器件区的第一埋层以及所述LDMOS器件区的第二埋层和环形埋层； 在所述JFET器件区和所述LDMOS器件区的外延层中形成多个相互保持间隔的浅沟槽隔离结构； 通过多次离子注入工艺，在所述JFET器件区的外延层中形成第一漂移区和第一底部注入区，以及在所述LDMOS器件区的外延层中形成第二漂移区和第二底部注入区； 通过多次离子注入工艺，在所述JFET器件区的第一漂移区中形成第一导电类型的阱区一以及在所述第一漂移区外围的外延层中形成第二导电类型的阱区二，以及在所述LDMOS器件区的第二漂移区外围的外延层中由内向外依次形成第二导电类型的阱区三、第一导电类型的阱区四和第二导电类型的阱区五； 形成多晶硅材料层，所述多晶硅材料层覆盖所述JFET器件区的外延层和所述LDMOS器件区的外延层； 刻蚀所述多晶硅材料层，以得到JFET器件区的第一栅极和所述LDMOS器件区的第二栅极； 刻蚀所述JFET器件区的第一栅极的中间区域以形成第一开口，打开所述第一漂移区的部分表面，以及刻蚀所述LDMOS器件区的第二栅极的中间区域以形成第二开口，打开所述第二漂移区的部分表面； 通过多次离子注入工艺，在所述JFET器件区的第一开口底部的第一漂移区中形成第一体区，以及在所述LDMOS器件区的第二开口底部的第二漂移区中形成第二体区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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